单项选择题
A.物理气相沉积 B.化学气相沉积 C.电化学镀 D.热氧化
在0.13um集成电路技术中，铜取代铝成为最主要的互连金属的主要原因是（）A.铜具有更高的导电率B.铜具有更低...
单项选择题在0.13um集成电路技术中，铜取代铝成为最主要的互连金属的主要原因是（）
A.铜具有更高的导电率 B.铜具有更低的导电率 C.铜更容易刻蚀加工 D.铜具有更好热导率
在集成电路多层布线中，通常采用钨插销连接各层布线的最主要原因（）A.钨的导电率比铝更低B.钨的刻蚀比铝更容易C...
单项选择题在集成电路多层布线中，通常采用钨插销连接各层布线的最主要原因（）
A.钨的导电率比铝更低 B.钨的刻蚀比铝更容易 C.采用化学气相沉积法制备的钨具有更好的填孔能力 D.钨与硅的接触性能更好
集成电路生产中，金属薄膜的沉积通常采用（）A.溅射物理气相沉积B.蒸发物理气相沉积C.等离子增强化学气相沉积D...
单项选择题集成电路生产中，金属薄膜的沉积通常采用（）
A.溅射物理气相沉积 B.蒸发物理气相沉积 C.等离子增强化学气相沉积 D.低压化学气相沉积
