晶粒长大速率与温度和晶粒的曲率半径有关，温度越高，晶粒长大速率（）；曲率半径越大，晶粒长大速率（）。

实际烧结中，几种传质过程可单独进行或几种同时进行，特定条件下是某种或几种机理起主导作用，条件改变时传质机理也随...

判断题实际烧结中，几种传质过程可单独进行或几种同时进行，特定条件下是某种或几种机理起主导作用，条件改变时传质机理也随之发生变化。

溶解-沉淀传质过程中需要控制的工艺参数有（）。A.温度与粒度B.液相数量C.黏度D.蒸汽压

多项选择题溶解-沉淀传质过程中需要控制的工艺参数有（）。

下列几种烧结传质机理中（）的致密化速率最高。A.蒸发-凝聚传质B.扩散传质C.流动传质D.溶解-沉淀传质

单项选择题下列几种烧结传质机理中（）的致密化速率最高。