随着频率的不断提高，晶体管的电流放大能力将会不断降低甚至丧失。

‎增大VA的措施是增大基区宽度、减小势垒区宽度。

判断题‎增大V_A的措施是增大基区宽度、减小势垒区宽度。

防止基区穿通的措施是提高WB与NB 。

判断题防止基区穿通的措施是提高W_B与N_B 。

‌在异质结双极型晶体管中，通常将发射结作成异质结，即用宽禁带材料制作发射区，用窄禁带材料制作基区。

判断题‌在异质结双极型晶体管中，通常将发射结作成异质结，即用宽禁带材料制作发射区，用窄禁带材料制作基区。