单项选择题
A.温度B.界面能C.界面曲率半径D.化学势
晶体生长大致可以分为晶核的（）两个阶段。A.形成B.孵化C.生长D.团聚
多项选择题晶体生长大致可以分为晶核的（）两个阶段。
A.形成B.孵化C.生长D.团聚
降温法生长关键控制技术包括（）等。A.精确控制降温速率B.合理的供热方式和搅拌程序C.轻放轻取不引入应力D.选...
多项选择题降温法生长关键控制技术包括（）等。
A.精确控制降温速率B.合理的供热方式和搅拌程序C.轻放轻取不引入应力D.选择合理的生长速率
膜层与基片的结合强度相比较：（）。A.蒸镀〉溅射〉离子镀B.蒸镀〉溅射〈离子镀C.蒸镀〈溅射〉离子镀D.蒸镀〈...
单项选择题膜层与基片的结合强度相比较：（）。
A.蒸镀〉溅射〉离子镀B.蒸镀〉溅射〈离子镀C.蒸镀〈溅射〉离子镀D.蒸镀〈溅射〈离子镀
