由于硅晶体经历了各种温度的热处理，过饱和的间隙氧会在硅晶体中偏聚和沉淀，形成了（）

以下（）选项都需要考虑晶体取向的影响。A.管芯划片方向B.单晶片的制备C.单晶材料制备D.器件的制作

多项选择题以下（）选项都需要考虑晶体取向的影响。

通常用来制作靶的金属材料有（）A.铬B.铁C.银D.铜

多项选择题通常用来制作靶的金属材料有（）

抛光时对于样品表面有（）要求。A.无氧化B.无浅坑C.无划道D.无沟道

多项选择题抛光时对于样品表面有（）要求。