填空题
反向击穿区
锗管的门限电压约为（）V。
填空题锗管的门限电压约为（）V。
硅管的门限电压约为（）V。
填空题硅管的门限电压约为（）V。
二极管的正向电阻比反向电阻（）得多。
填空题二极管的正向电阻比反向电阻（）得多。
