多项选择题
A.采用双基极条B.减少无源基区掺杂浓度C.增加无源基区掺杂浓度D.增加基极条和发射极条之间的距离
增大直流偏置电压VCE对基区渡越时间τb集电结势垒电容充放电时常数τc影响进而对特征频率fT的影响是（）A.使...
多项选择题增大直流偏置电压VCE对基区渡越时间τb集电结势垒电容充放电时常数τc影响进而对特征频率fT的影响是（）
A.使得τb增大而使得fT下降B.使得τc增大而使得fT下降C.使得τb减小而使得fT增加D.使得τc减小而使得fT增加
增大直流偏置电流IE对发射结势垒电容充放电时常数τe和基区渡越时间τb的影响进而对特征频率fT的影响是（）A....
多项选择题增大直流偏置电流IE对发射结势垒电容充放电时常数τe和基区渡越时间τb的影响进而对特征频率fT的影响是（）
A.使得τe增大而使得fT下降B.使得τb增大而使得fT下降C.使得τe减小而使得fT增加D.使得τb减小而使得fT增加
提高特征频率的主要技术途径包括（）A.减小发射结面积B.减小集电结面积C.减小基区宽度D.减小集电区掺杂浓度
多项选择题提高特征频率的主要技术途径包括（）
A.减小发射结面积B.减小集电结面积C.减小基区宽度D.减小集电区掺杂浓度
