半导体晶体一个重要的特性就是（）。因此，制造不同类型的器件通常需要选择（）的晶向。

（）是一种电压控制型器件，（）载流子参与导电A.MOS管，2B.MOS管，1C.三极管，1D.三极管，2

单项选择题（）是一种电压控制型器件，（）载流子参与导电

理想的NMOS管的栅氧化层厚度越小，阈值电压（）A.越大B.越小C.不变D.不一定

单项选择题理想的NMOS管的栅氧化层厚度越小，阈值电压（）

已知NMOS管的阈值电压是1.5V，工作时漏源电压为3V，栅源电压为5.5，则该MOS管的状态是（）A.非饱和...

单项选择题已知NMOS管的阈值电压是1.5V，工作时漏源电压为3V，栅源电压为5.5，则该MOS管的状态是（）