问答题
放大电路如图所示,电路中电容容量足够大,三极管的β=50,rbb’=200Ω,UBE=0.6V,RB1=120KΩ,RB2=40KΩ,RC=RL=4KΩ,RE=2.1KΩ,VCC=12V,信号源内阻RS=10KΩ, (1)估算电路的静态工作点IBQ、I、UCEQ; (2)画出微变等效电路; (3)计算电路的放大倍数Au、Aus、输入电阻Ri和输出电阻Ro的值。 (4)去掉旁路电容CE,求电压放大倍数Au,输入电阻Ri。
图所示电路中,Ri为其输入电阻,RS为常数,为使下限频率fL降低,应() A.减小C减小RiB.减小C增大Ri...
单项选择题
图所示电路中,Ri为其输入电阻,RS为常数,为使下限频率fL降低,应()
A.减小C减小Ri B.减小C增大Ri C.增大C减小Ri D.增大C增大Ri
图所示复合管,已知T1的β1 = 30,T2的β2 = 50,则复合管的β约为() A.1500B.80C.5...
图所示复合管,已知T1的β1 = 30,T2的β2 = 50,则复合管的β约为()
A.1500 B.80 C.50 D.30
某场效应管的转移特性如图所示,该管为() A.P沟道增强型MOS管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS...
某场效应管的转移特性如图所示,该管为()
A.P沟道增强型MOS管 B.P沟道结型场效应管 C.N沟道增强型MOS管 D.N沟道耗尽型MOS管