单项选择题
随机存储器按其存储信息的原理不同，可以分为静态RAM和动态RAM两大类。下图是静态RAM芯片Interl2114的外特征示意图。图中，A9~A0为地址输入端；I/01~I/O4为数据输入/输出端；CS为片选信号（低电平有效）；WE为写允许信（低电平为写，高电平为读）；Vcc为电源端；GND为接地端。由Intel2114的外特征图，我们可知其存储容量为（）
A.1K×4位B.1K ×4字节C.1K ×10位D.2K ×4位
下列关于主存存取速度说法错误的是（）A.存取周期（Memory Cycle Time）是指存储器进行连续两次独...
单项选择题下列关于主存存取速度说法错误的是（）
A.存取周期（Memory Cycle Time）是指存储器进行连续两次独立的存储器操作所需的总时间B.存取时间又称为存储器的访问时间，是指启动一次存储器操作到完成该操作所需的全部时间C.存取时间分读出时间和写入时间两种D.通常存取周期大于存取时间
DRAM存储器主要通过（）来存储信息。A.电容B.触发器C.磁介质D.寄存器
单项选择题DRAM存储器主要通过（）来存储信息。
A.电容B.触发器C.磁介质D.寄存器
DRAM的刷新方式，是以（）为单位进行的。A.行B.列C.行或者列D.存储单元
单项选择题DRAM的刷新方式，是以（）为单位进行的。
A.行B.列C.行或者列D.存储单元
