共发射极电路中，基极电流I_B是输入电流，集电极电流I_C是输出电流。发射结正偏、集电结零偏时的I_C与I_B之比称为（），记为β。

功率增益与频率平方的乘积称为晶体管的（），记为M。

填空题功率增益与频率平方的乘积称为晶体管的（），记为M。

当N型MOSFET的温度降低时，器件的阈值电压将（）。

填空题当N型MOSFET的温度降低时，器件的阈值电压将（）。

当MOSFET处于亚阈区时，衬底表面的少子浓度介于本征载流子浓度与衬底平衡（）浓度之间。

填空题当MOSFET处于亚阈区时，衬底表面的少子浓度介于本征载流子浓度与衬底平衡（）浓度之间。