单项选择题
A.复合机构 B.能带结构 C.晶体结构 D.散射机构
Si中掺金的工艺主要用于制造（）器件。A.高可靠性B.高频C.大功率D.高电压
单项选择题Si中掺金的工艺主要用于制造（）器件。
A.高可靠性 B.高频 C.大功率 D.高电压
若某半导体导带中电子出现几率为零，则此半导体必定（）。A.处于绝对零度B.不含任何杂质C.不含任何缺陷D.不含...
单项选择题若某半导体导带中电子出现几率为零，则此半导体必定（）。
A.处于绝对零度 B.不含任何杂质 C.不含任何缺陷 D.不含施主
II-VI族化合物中的M空位Vm是（）。A.点阵中的金属原子间隙B.一种在禁带中引入施主的点缺陷C.点阵中的点...
单项选择题II-VI族化合物中的M空位Vm是（）。
A.点阵中的金属原子间隙 B.一种在禁带中引入施主的点缺陷 C.点阵中的点阵中的金属原子空位 D.一种在禁带中引入受主的位错
