单项选择题
A.室温下，硅的禁带宽度约为1.12eV，是直接带隙半导体B.室温下，锗的禁带宽度约为0.67eV，是直接带隙半导体C.室温下，砷化镓的禁带宽度约为1.12eV，是直接带隙半导体D.室温下，硅的禁带宽度约为1.12eV，是间接带隙半导体
布洛赫定理是描述（）中电子的运动行为。A.晶体B.非晶体C.气体D.玻璃体
单项选择题布洛赫定理是描述（）中电子的运动行为。
A.晶体B.非晶体C.气体D.玻璃体
闪锌矿结构包含几种原子（）A.1B.2C.3D.4
单项选择题闪锌矿结构包含几种原子（）
A.1B.2C.3D.4
考虑一种面心立方单晶材料，其晶格常数为a，则该晶体的原子体浓度为（）A.2/a3B.1/a3C.4/a3D.4...
单项选择题考虑一种面心立方单晶材料，其晶格常数为a，则该晶体的原子体浓度为（）
A.2/a3B.1/a3C.4/a3D.4/a2
