单项选择题
A.衬底耦合噪声是造成Latch up问题的原因之一。 B.Latch up效应在电路上可以解释为CMOS集成电路中寄生三极管构成的正反馈电路。 C.Latch up效应与两个寄生三极管的放大系数有关。 D.Latch up效应与井和衬底的参杂浓度无关。
下列工具是布局布线工具（）A.Design CompilerB.AllegroC.VirtuosoD.Drac...
单项选择题下列工具是布局布线工具（）
A.Design Compiler B.Allegro C.Virtuoso D.Dracula E.SoC Encounter
下列工具是综合工具的是（）A.Design CompilerB.AllegroC.VirtuosoD.Drac...
单项选择题下列工具是综合工具的是（）
A.Design Compiler B.Allegro C.Virtuoso D.Dracula
关于Stick Diagram，下列说法正确的是（）A.Stick Diagram包括了所有版图的信息。B.S...
单项选择题关于Stick Diagram，下列说法正确的是（）
A.Stick Diagram包括了所有版图的信息。 B.Stick Diagram的信息是不完整的，因此它对于版图没有任何帮助。 C.Stick Diagram是版图的抽象表示，它可以帮助高效的画出版图。 D.Stick Diagram没有层次的概念。
