计算题

设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量E_c（k）和价带极大值附近能量E_v（k）分别为：

（1）禁带宽度； 
（2）导带底电子有效质量；
（3）价带顶电子有效质量； 
（4）价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。

以Si在GaAs中的行为为例，说明IV族杂质在III-V族化合物中可能出现的双性行为。

问答题以Si在GaAs中的行为为例，说明IV族杂质在III-V族化合物中可能出现的双性行为。

简述效质量m*的引入意义

问答题简述效质量m*的引入意义

简述金属导体与半导体，绝缘体与半导体，导电机理主要不同之处

问答题简述金属导体与半导体，绝缘体与半导体，导电机理主要不同之处