用冷热探笔法测量导电类型时，热探笔的温度要适当，以（）为宜。

漩涡缺陷是晶体中（）的局部聚集。A.线缺陷B.微缺陷C.面缺陷D.点缺陷

单项选择题漩涡缺陷是晶体中（）的局部聚集。

位错密度通常采用（）来表示，可在金相显微镜下测定。A.线密度B.体密度C.面密度D.以上皆不是

单项选择题位错密度通常采用（）来表示，可在金相显微镜下测定。

三探针法属于利用半导体的（）来测量导电类型的方法。A.整流效应B.温差电效应C.以上二种皆可D.以上二种皆不可

单项选择题三探针法属于利用半导体的（）来测量导电类型的方法。