问答题
已知锗原子的浓度为4.4×1022/cm3。 1)温度为300K时,本征锗的电阻率为47Ω·cm,μn=3900cm2/V·s,μp=1900cm2/V·s。试求本征载流子浓度。 2)若掺入锑杂质,使每个锗原子中有一个杂质原子,计算300K时电子浓度和空穴浓度。 3)若假设杂质全部电离,试求该掺杂锗样品的电阻率。 4)若流过该样品的电流密度为100mA/cm2,求所加的电场强度。
简述霍尔效应及应用。
问答题简述霍尔效应及应用。
什么是半导体-金属的欧姆接触?简述实现方法及其物理原理。
问答题什么是半导体-金属的欧姆接触?简述实现方法及其物理原理。
简述直接带隙半导体和间接带隙半导体。
问答题简述直接带隙半导体和间接带隙半导体。