多项选择题
A.n+AlGaAs与本征GaAs构成异质结时，在异质结界面处GaAs一侧形成了一个三角形的势阱B.量子阱中的电子在垂直异质结界面方向上的运动受限，而在与异质结界面平行的二维平面内的运动是自由的C.把量子阱中的电子称为二维电子气D.能够对电子（空穴）的运动产生某种约束，使其能量量子化的势场为量子阱
关于pn结的注入特性，以下说法正确的是（）A.异质pn 结的高注入特性是区别同质pn 结的主要特点之一B.同质...
多项选择题关于pn结的注入特性，以下说法正确的是（）
A.异质pn 结的高注入特性是区别同质pn 结的主要特点之一B.同质pn结具有比异质pn结更大的注入比C.决定异质pn结注入比的是ΔEg，通常可获得较大的注入比D.决定同质pn结注入比的是掺杂浓度，要想获得大的注入比就要求ND>>NA
对异质结I-V特性的分析，以下说法正确的是（）A.利用扩散模型得到的结果是异质pn 结的正向电流随电压按e指...
多项选择题对异质结I-V特性的分析，以下说法正确的是（）
A.利用扩散模型得到的结果是异质pn 结的正向电流随电压按e指数规律增加B.利用发射模型得到的结果是正向电流随电压按e指数关系增加C.对于低势垒尖峰形异质结，用隧道模型处理D.对于低势垒尖峰形异质结，用扩散模型处理
如果计入表面态的影响，当表面态为施主态，且态密度足够大时，关于异质结能带结构的描述，正确的是（）A.对于n 型...
多项选择题如果计入表面态的影响，当表面态为施主态，且态密度足够大时，关于异质结能带结构的描述，正确的是（）
A.对于n 型半导体，在半导体表面形成很薄的多子积累层B.对于p 型半导体，在半导体表面形成很厚的耗尽层C.此时异质结界面两边的状态完全由界面态电荷决定，与功函数等没有关系D.对于n型半导体，在半导体表面形成很厚的耗尽层
