问答题
使外部RAM2100H单元内容的高两位清“0”，其余位变反。试编写程序。
问答题使外部RAM 2100H单元内容的高两位清“0”，其余位变反。试编写程序。
将内部RAM30H单元的内容求补后，送回30H单元。试编写程序。
问答题将内部RAM 30H单元的内容求补后，送回30H单元。试编写程序。
从P1口引脚读入数据，并将该数据写入外部RAM2100H单元。试编写程序。
问答题从P1口引脚读入数据，并将该数据写入外部RAM 2100H单元。试编写程序。
