多项选择题
A.多晶硅和衬底半导体材料之间的功函数差的绝对值增大B.栅极氧化层厚度变薄（单位面积的栅氧化层电容增大）C.氧化层中的表面电荷（正电荷）减少D.在沟道区人工注入p型杂质离子使得单位面积的电荷密度升高
下图的版图中NMOS管在（）边，PMOS管在（）边。A.左，右B.右，左C.左，左D.右，右
单项选择题
下图的版图中NMOS管在（）边，PMOS管在（）边。
A.左，右B.右，左C.左，左D.右，右
在下面的晶体管剖面图中依次标出各个编号所指的部位对应的MOS管的结构名称和此晶体管的类型，表述正确的是（）。A...
在下面的晶体管剖面图中依次标出各个编号所指的部位对应的MOS管的结构名称和此晶体管的类型，表述正确的是（）。
A.栅、源/漏区、源/漏区、衬底、NMOSB.衬底、源/漏区、源/漏区、栅、PMOSC.栅、源/漏区、源/漏区、衬底、PMOSD.源/漏区、栅、衬底、源/漏区、NMOS
下面选项中是用集成电路实现电路系统的好处的是（）。A.体积小、重量轻B.单位功能的制造成本低C.性能高D.可靠...
多项选择题下面选项中是用集成电路实现电路系统的好处的是（）。
A.体积小、重量轻B.单位功能的制造成本低C.性能高D.可靠性高E.功能更丰富
