单项选择题
A.CVD普适性更好B.PVD薄膜的保形性更好C.CVD工艺温度更低D.PVD薄膜与衬底的粘附性较差
下列晶体缺陷中对其扩散速率影响最大的是（）A.空位B.填隙杂质C.自填隙D.替位杂质
单项选择题下列晶体缺陷中对其扩散速率影响最大的是（）
A.空位B.填隙杂质C.自填隙D.替位杂质
CZ法拉不出高阻单晶硅锭的主要原因是（）A.气相杂质融入熔体再进入了硅锭B.坩埚材料分解出的氧会进入硅锭C.多...
单项选择题CZ法拉不出高阻单晶硅锭的主要原因是（）
A.气相杂质融入熔体再进入了硅锭B.坩埚材料分解出的氧会进入硅锭C.多晶硅原料纯度不够高D.干锅清洗不干净造成
IC采用铝互连系统时，下列哪种方法可以避免Al-Si的尖楔现象（）A.在淀积的铝膜中掺入约1%SiB.在淀积的...
多项选择题IC采用铝互连系统时，下列哪种方法可以避免Al-Si的尖楔现象（）
A.在淀积的铝膜中掺入约1%SiB.在淀积的铝膜中掺入约1%CuC.在铝膜表面覆盖Si3N4D.在淀积铝之前先淀积一薄层TiN薄膜
