室温时半导体种的电子和空穴始终在进行着无规则的热运动。

在平衡p-n结中，由内件电场VD作用下形成的漂移电流等于载流子浓度差形成的扩散电流，而使p-n结中的静电流为零...

判断题在平衡p-n结中，由内件电场VD作用下形成的漂移电流等于载流子浓度差形成的扩散电流，而使p-n结中的静电流为零。

产生直接跃迁与间接跃迁的原因主要取决于半导体材料的能带结构。

判断题产生直接跃迁与间接跃迁的原因主要取决于半导体材料的能带结构。

晶体缺陷分为点缺陷，面缺陷和线缺陷？

判断题晶体缺陷分为点缺陷，面缺陷和线缺陷？