单项选择题

‍B掺杂浓度为6×10¹⁶cm^-3的Si半导体，再掺入4×4¹⁵cm^-3的P原子后，在禁带E_F的位置将（）

A.更靠近E_v
B.更靠近E_c
C.不确定
D.位于E_i

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单项选择题‌对于一中等掺杂的n型半导体，最有效的陷阱能级位置为（）

A.E_c
B.位于E_F以下，且很接近E_F的能级
C.E_i
D.位于E_F以上，且很接近E_F的能级

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单项选择题对应于一掺杂浓度一定的GaAs半导体，大注入时，过剩少子的寿命正比于（）

A.1/n_i
B.1/△p
C.1/p₀
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单项选择题若某半导体在价带中发现空穴的几率为零，则该半导体必定（）

A.不含任何杂质
B.不含受主杂质
C.处于绝对零度
D.不含施主杂质

半导体物理