单项选择题
电路如图所示,电容C2远大于C2和C,其中满足自激振荡相位条件的是下列图中()。
A.(a) B.(b) C.(c)
已知某晶体管的穿透电流ICEO=0.32mA,集基反向饱和电流ICBO=4μA,如要获得2.69mA的集电极电...
单项选择题已知某晶体管的穿透电流ICEO=0.32mA,集基反向饱和电流ICBO=4μA,如要获得2.69mA的集电极电流,则基极电流IB应为()。
A.0.3mA B.2.4mA C.0.03mA
逻辑电路如图所示,当A=“0”,B=“1”时,C脉冲来到后D触发器()。 A.具有计数功能B.保持原状态C.置...
逻辑电路如图所示,当A=“0”,B=“1”时,C脉冲来到后D触发器()。
A.具有计数功能 B.保持原状态 C.置“0” D.置“1”
电路如图所示,晶体管β=50,UBE=0.6V,RB=72kΩ,RC=1.5kΩ,UCC=9V,当RW=0时,...
电路如图所示,晶体管β=50,UBE=0.6V,RB=72kΩ,RC=1.5kΩ,UCC=9V,当RW=0时,晶体管处于临界饱和状态,正常工作时静态集电极电流ICQ应等于3mA,此时应把RW调整为()
A.100kΩ B.72kΩ C.68kΩ D.86kΩ