填空题
位错
引晶下种时,由于籽晶和熔硅温差大,()对籽晶造成强烈的热冲击,产生大量位错,通过缩颈,使晶体在生长中将位错“缩...
填空题引晶下种时,由于籽晶和熔硅温差大,()对籽晶造成强烈的热冲击,产生大量位错,通过缩颈,使晶体在生长中将位错“缩掉”,成为无位错单晶。
籽晶定向有三种方法,(),()和()。
填空题籽晶定向有三种方法,(),()和()。
拉制的硅单晶沿[111]晶向生长的有()的棱线,沿[100]晶向生长有()均匀分布的棱线。
填空题拉制的硅单晶沿[111]晶向生长的有()的棱线,沿[100]晶向生长有()均匀分布的棱线。