本征半导体硅的禁带宽度是1.14eV，它能吸收的辐射的最大波长为（）。（普朗克恒量h=6.63×10^-34J·s，1eV＝1.6×10^-19J）

在半导体材料中，载流子散射主要有两方面的原因：（）和（）。

填空题在半导体材料中，载流子散射主要有两方面的原因：（）和（）。

下两图（a）与（b）中，（a）图是（）型半导体的能带结构图，（b）图是（）型半导体的能带结构图。

填空题

下两图（a）与（b）中，（a）图是（）型半导体的能带结构图，（b）图是（）型半导体的能带结构图。

电场周期破坏的来源是：（）、（）、（）、（）等。

填空题电场周期破坏的来源是：（）、（）、（）、（）等。