衬底偏置电压会影响MOS器件的阈值电压，反向偏置电压增大，则MOS器件的阈值电压也随之增大，这种效应称为（）

MOS场效应晶体管分为四种基本类型：（）、（）、P沟增强型、P沟耗尽型。

填空题MOS场效应晶体管分为四种基本类型：（）、（）、P沟增强型、P沟耗尽型。

CMOS的英文全称是（）

填空题CMOS的英文全称是（）

在放大模式偏置下，双极型晶体管的EB结（），CB结反向偏置。

填空题在放大模式偏置下，双极型晶体管的EB结（），CB结反向偏置。