CMOS制作时，源、漏、栅等结构都做在场氧化区。

LOCOS工艺主要用于制作MOS管的栅氧结构。

判断题LOCOS工艺主要用于制作MOS管的栅氧结构。

制备多晶硅之前先做一层薄氧，这层薄氧是栅氧。

判断题制备多晶硅之前先做一层薄氧，这层薄氧是栅氧。

制作场氧区的时候，氮化硅的作用是作为LOCOS氧化时的掩蔽层。

判断题制作场氧区的时候，氮化硅的作用是作为LOCOS氧化时的掩蔽层。