对于增强型N型沟道MOS管，V_GS只能为（），并且只能当V_GS（）时，才能形有Id。

对于耗尽型MOS管，VGS可以为（）

填空题对于耗尽型MOS管，V_GS可以为（）

场效应管漏极电流由（）载流子的漂移运动形成。N沟道场效应管的漏极电流由载流子的漂移运动形成。JFET管中的漏极...

填空题场效应管漏极电流由（）载流子的漂移运动形成。N沟道场效应管的漏极电流由载流子的漂移运动形成。JFET管中的漏极电流（）穿过PN结（能，不能）。

为了使结型场效应管正常工作，栅源间两PN结必须加（）电压来改变导电沟道的宽度，它的输入电阻比MOS管的输入电阻...

填空题为了使结型场效应管正常工作，栅源间两PN结必须加（）电压来改变导电沟道的宽度，它的输入电阻比MOS管的输入电阻（）。结型场效应管外加的栅-源电压应使栅源间的耗尽层承受（）向电压，才能保证其R_GS大的特点。