探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的函数。它随频率增加、晶片直径减小而增大。

在近场区对缺陷定量，可以提高对缺陷定量的精度。

判断题在近场区对缺陷定量，可以提高对缺陷定量的精度。

直探头近场区在两种介质中的分布用N表示：N= D2/4λ－L1C1/C2。

判断题直探头近场区在两种介质中的分布用N表示：N= D²/4λ－L₁C₁/C₂。

超声波的衰减主要取决于声程传播的距离、材料的晶粒度、材料的粘滞性等。

判断题超声波的衰减主要取决于声程传播的距离、材料的晶粒度、材料的粘滞性等。