单项选择题
A.大于空穴占据EF的几率B.等于空穴占据（EF-2K0T）能级的几率C.等于空穴占据（EF+2K0T）能级的几率D.大于电子占据EF的几率
T>0K时，位于EF以上的能级，随着温度的升高，电子占据能级的几率（）A.增加B.不确定C.不变D.下降
单项选择题T>0K时，位于EF以上的能级，随着温度的升高，电子占据能级的几率（）
A.增加B.不确定C.不变D.下降
对应于一掺杂Si半导体，室温时空穴的来源包括（）A.掺入n型杂质B.掺入p型杂质C.本征激发D.引入深能级
多项选择题对应于一掺杂Si半导体，室温时空穴的来源包括（）
A.掺入n型杂质B.掺入p型杂质C.本征激发D.引入深能级
下面（）过程属于间接复合的微观过程。A.发射电子B.发射激子C.俘获空穴D.声子发射
多项选择题下面（）过程属于间接复合的微观过程。
A.发射电子B.发射激子C.俘获空穴D.声子发射
