问答题
引起沟道区产生强表面反型的最小栅电压,称为阈值电压VT。
MOS器件结构的对称性使其源漏区可以互换,双极型器件是否也具有同样的特点?若没有,请说明原因。
问答题MOS器件结构的对称性使其源漏区可以互换,双极型器件是否也具有同样的特点?若没有,请说明原因。
PN结的空间电荷区是如何形成的?
问答题PN结的空间电荷区是如何形成的?
试比较p-n结和肖特基结的主要异同点。
问答题试比较p-n结和肖特基结的主要异同点。