问答题
在MgO晶体中,肖基特缺陷的生成能为6eV,计算在25℃和1600℃时的热缺陷浓度。
问答题在MgO晶体中,肖基特缺陷的生成能为6eV,计算在25℃和1600℃时的热缺陷浓度。
假定把一个Na原子从钠的晶体的内部移动到边界上需要的能量是1eV,计算室温时(300K)的肖基特方位浓度。
问答题假定把一个Na原子从钠的晶体的内部移动到边界上需要的能量是1eV,计算室温时(300K)的肖基特方位浓度。
计算配位数为3时的下限