单晶中径向杂质分布在单晶生长过程中既受（）的影响，又受到（）和（）的影响。

K有效受晶体生长速度即（）和（）影响。

填空题K有效受晶体生长速度即（）和（）影响。

计算杂质的分凝系数时，（）中的杂质原子总数加（）中的杂质原子总数等于掺杂元素的原子总数。

填空题计算杂质的分凝系数时，（）中的杂质原子总数加（）中的杂质原子总数等于掺杂元素的原子总数。

生长电阻率为10-2欧姆•厘米至10-4欧姆•厘米硅单晶时，硅单晶含杂质多，掺杂量大，一般用（）掺杂。

填空题生长电阻率为10^-2欧姆•厘米至10^-4欧姆•厘米硅单晶时，硅单晶含杂质多，掺杂量大，一般用（）掺杂。