单项选择题
A.3年B.4年C.5~6年D.7~8年
对于固体层法,人工污秽试验时,绝缘子的污秽度通常以()方式表达。A.SESB.ESDD 和NSDDC.SES ...
单项选择题对于固体层法,人工污秽试验时,绝缘子的污秽度通常以()方式表达。
A.SESB.ESDD 和NSDDC.SES 和NSDDD.S 和NS
进行绝缘子吸水性试验时,试验期间试品不应出现击穿和闪络,温升不应超过(),否则试验不合格。A.3KB.4KC....
单项选择题进行绝缘子吸水性试验时,试验期间试品不应出现击穿和闪络,温升不应超过(),否则试验不合格。
A.3KB.4KC.5KD.6K
35kV 额定电压的支柱绝缘子的交接试验采用工频干耐压试验电压为()。A.64kVB.80kVC.100kVD...
单项选择题35kV 额定电压的支柱绝缘子的交接试验采用工频干耐压试验电压为()。
A.64kVB.80kVC.100kVD.110kV