填空题
方向性差,刻蚀速率慢,过刻蚀性能好;去胶;方向性好,刻蚀速率高;SiO2、Al、Si3N4;多晶硅
干法刻蚀的终点检测有许多方法,通常采用的是()终点检测方法。
填空题干法刻蚀的终点检测有许多方法,通常采用的是()终点检测方法。
实用的等离子体刻蚀工艺必须满足哪些条件?
问答题实用的等离子体刻蚀工艺必须满足哪些条件?
离子注入掺杂剂量偏差的原因主要来源于:()、()和可能的()。 例如:当作28Si+注入时,可能有真空系统中剩...
填空题离子注入掺杂剂量偏差的原因主要来源于:()、()和可能的()。 例如:当作28Si+注入时,可能有真空系统中剩余气体产生的()也会同时注入。