问答题
N阱,P阱,多晶硅栅,N+源漏,P+源漏,接触孔,通孔,金属互联及钝化孔。
试说明LOCOS和STI中淀积的衬垫氧化硅层以及场注的主要作用。
问答题试说明LOCOS和STI中淀积的衬垫氧化硅层以及场注的主要作用。
亚微米CMOS工艺采用的标准隔离技术是什么?试说明其主要工艺步骤。
问答题亚微米CMOS工艺采用的标准隔离技术是什么?试说明其主要工艺步骤。
试说明什么是LOCOS和它的主要作用以及该工艺的主要步骤,并说明该工艺存在的主要问题和解决方法。
问答题试说明什么是LOCOS和它的主要作用以及该工艺的主要步骤,并说明该工艺存在的主要问题和解决方法。