简答题

证明非简并的非均匀半导体中的电子电流形式为

光均匀照射在6Ω·cm的n型Si样品上，电子-空穴对的产生率为4×1021cm-3s-1，样品寿命为8μs。试...

问答题光均匀照射在6Ω·cm的n型Si样品上，电子-空穴对的产生率为4×10²¹cm^-3s^-1，样品寿命为8μs。试计算光照前后样品的电导率。

间接复合效应与陷阱效应有何异同？

问答题间接复合效应与陷阱效应有何异同？

导出非简并载流子满足的爱因斯坦关系。

问答题导出非简并载流子满足的爱因斯坦关系。