单项选择题
A.改变外施电压大小； B.改变电路电阻R参数； C.改变电路电感L或电容C参数； D.改变回路电流大小。
用末端屏蔽法测量220kV串级式电压互感器的tgδ，在试品底座法兰对地绝缘，电桥正接线、Cx引线接试品x、xD...
单项选择题用末端屏蔽法测量220kV串级式电压互感器的tgδ，在试品底座法兰对地绝缘，电桥正接线、Cx引线接试品x、xD及底座条件下，其测得值主要反映（）的绝缘状况。
A.一次绕组及下铁芯支架对二次绕组及地； B.处于下铁芯下芯柱的1／4一次绕组及下铁芯支架对二次绕组及地； C.处于下铁芯下芯柱的的1／4一次绕组端部对二次绕组端部之间的及下铁芯支架对壳之间； D.上下铁芯支架。
用末端屏蔽法测量110kV串级式电压互感器的tgδ时，在试品底座法兰接地、电桥正接线、Cx引线接试品x、xD端...
单项选择题用末端屏蔽法测量110kV串级式电压互感器的tgδ时，在试品底座法兰接地、电桥正接线、Cx引线接试品x、xD端条件下，其测得值主要反映的是（）的绝缘状况。
A.一次绕组对二次绕组及地； B.处于铁芯下芯柱的1／2一次绕组对二次绕组之间； C.铁芯支架； D.处于铁芯下芯柱的1／2一次绕组端部对二次绕组端部之间。
测量局部放电时，要求耦合电容（）。A.tgδ小；B.绝缘电阻高；C.泄漏电流小；D.在试验电压下无局部放电。
单项选择题测量局部放电时，要求耦合电容（）。
A.tgδ小； B.绝缘电阻高； C.泄漏电流小； D.在试验电压下无局部放电。
