多项选择题
A.减小沟道长度B.增加衬底掺杂浓度C.增加栅氧化层厚度D.增加沟道载流子迁移率
在实测的晶体管输出特性曲线中，IC在放大区随VCE的增加而略有增加，这是由（）造成的。A.基区宽度调变效应B....
多项选择题在实测的晶体管输出特性曲线中，IC在放大区随VCE的增加而略有增加，这是由（）造成的。
A.基区宽度调变效应B.有效沟道长度调制效应C.电导调制效应D.厄尔利效应
在平衡状态下，电子的电流密度（）。A.等于0B.大于0C.小于0D.大于等于0
单项选择题在平衡状态下，电子的电流密度（）。
A.等于0B.大于0C.小于0D.大于等于0
单边突变结的（）主要取决于低掺杂一侧的杂质浓度。A.内建电势B.耗尽区宽度C.最大电场D.势垒高度
多项选择题单边突变结的（）主要取决于低掺杂一侧的杂质浓度。
A.内建电势B.耗尽区宽度C.最大电场D.势垒高度
