在成核生长型相变过程中，在一定范围内，随着过冷度增加，成核位垒∆G*（），晶核形成越（）。

晶核的界面能γLS（）和相变热∆H（），均有利于晶核形成‍。A.增加；降低B.增加；增加C.降低；增加D.降低...

单项选择题晶核的界面能γLS（）和相变热∆H（），均有利于晶核形成‍。

相变过程的推动力可表示为（）的函数。A.过冷度B.过热度C.过饱和蒸汽压D.过饱和浓度

多项选择题相变过程的推动力可表示为（）的函数。

对于吸热的相变过程，系统实际相变温度应比理论相变温度（），相变才能自发进行。A.低B.高C.相同D.与温度无关

单项选择题对于吸热的相变过程，系统实际相变温度应比理论相变温度（），相变才能自发进行。