‌CVD方法生长的薄膜材料一般纯度和致密性都很好，但是反应的源气、余气有毒。

区熔法可以生长熔点极高的晶体。‌

判断题区熔法可以生长熔点极高的晶体。‌

‏液封提拉法可以在一定程度上防止晶体生长过程中杂质的引入。

判断题‏液封提拉法可以在一定程度上防止晶体生长过程中杂质的引入。

生长硅晶体最常用的方法是直拉法（Czochralski）。

判断题生长硅晶体最常用的方法是直拉法（Czochralski）。