单项选择题
A.掩模式只读存储器MROMB.可编程只读存储器PROMC.可编程的只读存储器EPROMD.电可擦除可编程ROM
以下ROM中，允许用户编程操作次数最多是（）A.掩模式只读存储器MROMB.可编程只读存储器PROMC.可编程...
单项选择题以下ROM中，允许用户编程操作次数最多是（）
动态RAM存储单元的刷新操作指的是（）A.向存储单元写入一个新数据B.读存储单元的同时，并将读出的值写回C.读...
单项选择题动态RAM存储单元的刷新操作指的是（）
A.向存储单元写入一个新数据B.读存储单元的同时，并将读出的值写回C.读存储单元D.定时读存储单元，并将读出的值写回
从下图表示的DRAM的写操作时序可以看出，分割行地址和列地址的信号是（）A./RASB./CASC./CED....
从下图表示的DRAM的写操作时序可以看出，分割行地址和列地址的信号是（）
A./RASB./CASC./CED./WE
