计算题 一个Ge（Li）探头相对于标准Φ7.62cm×6.62cm的NaI（T1）闪烁体有8％的光电峰效率。求对于距探测器40㎝处一个3.7×10⁷Bq的⁶⁰Co点源的1.33MeV全能峰计数率。

试就以下条件画出硅面垒探测器的期望微分脉冲幅度谱： （a）5MeV入射α粒子，探测器的耗尽深度大于α粒子的射程...

问答题

试就以下条件画出硅面垒探测器的期望微分脉冲幅度谱：
（a）5MeV入射α粒子，探测器的耗尽深度大于α粒子的射程。 
（b）5MeVα粒子，探测器的耗尽深度为α粒子射程之半。 
（c）情况同（a），但5MeVα粒子已经经过一块吸收体，其厚度等于该物质中α射程的一半。

当α粒子被准直得垂直于金硅面垒探测器的表面时，241Am刻度源的主要α射线峰中心位于多道分析器的461道。然后...

问答题当α粒子被准直得垂直于金硅面垒探测器的表面时，²⁴¹Am刻度源的主要α射线峰中心位于多道分析器的461道。然后改变几何条件，使α粒子偏离法线35°角入射，此时，峰位移到449道，试求死层厚度（以α粒子粒子能量损失表示）。

使用一个完全耗尽了的0.1mm厚的硅探测器，若偏压大到足够使载流子速度处出饱和，估算电子和空穴的最大收集时间。

问答题使用一个完全耗尽了的0.1mm厚的硅探测器，若偏压大到足够使载流子速度处出饱和，估算电子和空穴的最大收集时间。