N沟道MOSFET的衬底是（）型半导体，源区和漏区是（）型半导体，沟道中的载流子是（）。

对高频晶体管结构上的基本要求是：（）、（）、（）和（）。

填空题对高频晶体管结构上的基本要求是：（）、（）、（）和（）。

晶体管的高频小信号等效电路与直流小信号等效电路相比，增加了三个元件，它们是（）、（发射结势垒电容）和（）。

填空题晶体管的高频小信号等效电路与直流小信号等效电路相比，增加了三个元件，它们是（）、（发射结势垒电容）和（）。

晶体管的高频优值M是（）与（）的乘积

填空题晶体管的高频优值M是（）与（）的乘积