单项选择题
A.原生长缺陷 B.二次缺陷 C.点缺陷 D.诱生缺陷
金刚石结构的晶体中位错滑移最容易产生的滑移面是（）A.{111}面B.{110}面C.{100}面D.{101...
单项选择题金刚石结构的晶体中位错滑移最容易产生的滑移面是（）
A.{111}面 B.{110}面 C.{100}面 D.{101}面
关于分子筛说法错误的是（）A.也叫合成沸石B.分子筛晶体内有许多孔径均匀的孔道和排列整齐的孔穴，提供了大量的比...
单项选择题关于分子筛说法错误的是（）
A.也叫合成沸石 B.分子筛晶体内有许多孔径均匀的孔道和排列整齐的孔穴，提供了大量的比表面 C.具有极性 D.对非极性分子具有较强的亲和力
关于采用区域提纯法去除硅中硼杂的区域提纯杂质描述正确的是（）A.取决于温度效果显著B.取决于硼的含量C.效果一...
单项选择题关于采用区域提纯法去除硅中硼杂的区域提纯杂质描述正确的是（）
A.取决于温度效果显著B.取决于硼的含量C.效果一般完全去除D.几乎无法效果去除
