单项选择题
A.N区的电势比P区高B.N区的电势能比P区高C.N区的空穴向P区扩散D.N区的电子向P区漂移
关于PN结，说法不正确的是（）A.PN结始终具有整流特性B.平衡PN结中，N型半导体一侧的空间电荷区是由施主杂...
单项选择题关于PN结，说法不正确的是（）
A.PN结始终具有整流特性B.平衡PN结中，N型半导体一侧的空间电荷区是由施主杂质离子构成的C.正向电压作用下，PN结电容以扩散电容为主D.PN结中自建电场的方向是由N区指向P区
以下关于PN结电容的说法正确的是（）A.反向偏压增大时，势垒电容减小B.正向偏压增大时，势垒电容减小C.正向偏...
单项选择题以下关于PN结电容的说法正确的是（）
A.反向偏压增大时，势垒电容减小B.正向偏压增大时，势垒电容减小C.正向偏压增大时，扩散电容减小D.势垒电容是一种固定电容
已知有一PN+结，通过降低NA，可以（）A.提高击穿电压B.减小势垒区宽度C.提高势垒电容D.并没有什么影响
单项选择题已知有一PN+结，通过降低NA，可以（）
A.提高击穿电压B.减小势垒区宽度C.提高势垒电容D.并没有什么影响
