‏下图是一个NMOS管构成的逻辑非门。其中，RD是负载。这个负载，可有可无。没有它，也可以构成逻辑非门。‍
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支气管黏膜上皮鳞化属于下列哪种改变：（）

未知题型支气管黏膜上皮鳞化属于下列哪种改变：（）

已知等差数列的前三项分别为3，6，9，则该数列的第四项为（）

未知题型已知等差数列的前三项分别为3，6，9，则该数列的第四项为（）

晶体的结晶速度越快，晶体生长的越粗大。A．对 B．错

单项选择题晶体的结晶速度越快，晶体生长的越粗大。