014.关于IGBT与MOSFET的主要区别，以下叙述中正确的是：
A、IGBT三个电极分别为基极G、集电极C和发射极E。而MOSFET的三个电极分别为栅极G、漏极D和源极S；
B、IGBT比MOSFET多一层高掺杂P+注入区，实现对了漂移区电导率进行调制，同时具有了反向阻断能力。而电力场效应晶体管是逆导器件；
C、IGBT相当于一个由厚基区PNP晶体管驱动的MOSFET，是双极型器件。而电力场效应晶体管是单极型器件；
D、IGBT比MOSFET工作频率高很多。

下面（）不属于项目章程的内容。

未知题型下面（）不属于项目章程的内容。

病人男，38岁。木刺刺伤右中指末端，当即挑出木刺，未出血，5天后右中指末节肿胀、剧痛、搏动性疼痛，彻夜难眠，诊...

未知题型病人男，38岁。木刺刺伤右中指末端，当即挑出木刺，未出血，5天后右中指末节肿胀、剧痛、搏动性疼痛，彻夜难眠，诊断为脓性指头炎。首要的处理是（）

党的十九大报告明确指出，从2020年到本世纪中叶可以分两个阶段来安排。第一个阶段的奋斗目标是： ...

单项选择题党的十九大报告明确指出，从2020年到本世纪中叶可以分两个阶段来安排。第一个阶段的奋斗目标是： A.
实现共同富裕 B.
全面实现社会主义现代化 C.
基本实现社会主义现代化 D.
实现国家治理体系和治理能力现代化