未知题型

利用GaAs MESFET器件设计一单刀单掷开关。(共25分) (1) 要求:当开关处于断开状态时,回波损耗接近无穷大,即驻波性能良好,试给出一种设计方案。(13分) (2) 若要进一步提高该开关的隔离度,试给出两种可行方案。(12分)

【参考答案】

(1) 设计方案:为了使***SFET器件在断开状态时回波损耗接近无穷大,即驻波性能良好,可以采用以下设计方案:- 使用......

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